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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.9
- 수록면
- 353 - 359 (7page)
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Metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) 법으로 성장된 In<SUB>0.49</SUB>Ga<SUB>0.51</SUB>P/GaAs 이종접합 구조의 특성을 표면 광전압(surface photovoltage; SPV) 분광법으로 조사하였다. SPV 측정은 입사광의 세기, 변조 주파수, 온도의 함수로 수행하였다. 상온에서 시료의 띠간격 에너지(band gap energy)는 GaAs와 In<SUB>0.49</SUB>Ga<SUB>0.51</SUB>P는 각각 1.400 및 1.893 eV이었다. 광세기를 증가시킴에 따라 SPV 크기는 증가하는 반면에, 변조 주파수를 증가시킴에 따라 SPV 크기는 감소하였다. 그리고 SPV 스펙트럼의 온도 의존성으로부터 GaAs와 In<SUB>0.49</SUB>Ga<SUB>0.51</SUB>P의 띠간격 에너지의 변화를 Varshni 및 Bose-Einstein 표현에 의해 분석하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (21)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - J. B. Lee / 1993 / / Appl. Phys. Lett. 62 : 1620 ~
2. [학술지(정기간행물)] - L. B. Chang / 1988 / / Jpn. J. Appl. Phys. 27 : 1145 ~
3. [학술지(정기간행물)] - H. Kroemer / 1983 / / J. Vac. Sci. Techol. B 1 (2) : 126 ~
4. [학술지(정기간행물)] - S. L. Jang / 1991 / / Solid State Electronics 34 : 373 ~
5. [학술지(정기간행물)] - S. A Tabatabaei / 1995 / / J. Electronics Materials 24 : 87 ~
2. [학술지(정기간행물)] - L. B. Chang / 1988 / / Jpn. J. Appl. Phys. 27 : 1145 ~
3. [학술지(정기간행물)] - H. Kroemer / 1983 / / J. Vac. Sci. Techol. B 1 (2) : 126 ~
4. [학술지(정기간행물)] - S. L. Jang / 1991 / / Solid State Electronics 34 : 373 ~
5. [학술지(정기간행물)] - S. A Tabatabaei / 1995 / / J. Electronics Materials 24 : 87 ~
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