고분해능 XRD 분석에 의한 InAs/GaSb 응력초격자 구조의 성장 최적화 연구

김준오; 신현욱; 최정우; 이상준; 김창수; 노삼규

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김준오 신현욱 최정우 이상준 김창수 노삼규 (한국표준과학연구원)

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제4호

발행연도: 2009.7

수록면: 245 - 253 (9page)

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InAs/GaSb (8/8-ML) 응력초격자 (SLS)의 성장 변수를 최적화하기 위하여, 다양한 조건 및 모드에서 SLS 구조를 제작하여 고분해능 X선회절 (XRD) 특성을 분석하였다. 본 연구에서는 성장온도, Ⅴ/Ⅲ 분자선 비율, 성장일시정지 (growth interruption, GI) 등의 변화를 통하여 SLS 계면층의 응력 변조를 유도하였고, XRD 0차 위성피크의 변위로서 응력의 변화를 고찰하였다. XRD 분석 결과로부터, SLS의 결정성과 응력의 변화를 유발하는 주요 변수는 각각 성장온도와 Ⅴ/Ⅲ(Sb/Ga) 비율임을 보여 주었다. 압축변형을 가지고 있는 본 연구에서 제작한 SLS 시료는 Ⅴ/Ⅲ(Sb/Ga) 비율의 감소에 따라 인장변형으로 전환됨을 보여 주었으며, GI 모드 및 시간에 따라 응력이 민감하게 변함을 관측할 수 있었다. 본 연구 결과로부터, [InAs/GaSb]-SLS ([8/8]-ML)의 최적 성장온도와 Ⅴ/Ⅲ(Sb/Ga) 비율는 각각 350℃와 20이고, 결정성을 극대화하고 응력완화를 감소시키기 위해서는 InAs 성장 직전 약 3초 동안의 GI방법이 유효함을 보였다.

#인듐비소/갈륨안티모니(InAs/GaSb) #초격자 #변형 #응력 #계면층 #성장일시정지 #X선회절(XRD) #Superlattice #Stain #Stress #Interfacial layer #Growth interruption #X-ray diffraction

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1. [학술지(정기간행물)] - S. K. Noh / 2007 / / New Phys 54 : 484 ~

2. [학술지(정기간행물)] - S. Krishna / 2005 / / Appl. Phys. Lett 86 : 193501 ~

3. [학술지(정기간행물)] - S. Tsao / 2007 / / Appl. Phys. Lett 90 : 201109 ~

4. [학술지(정기간행물)] - J. O. Kim / 2008 / Photoluminescence Characteristics of Self-Aligned InGaAs Quantum Dots Fabricated by Using Atomic Layer Epitaxy / Journal of the Korean Physical Society 53 (4) : 2100 ~ 2104

5. [학술지(정기간행물)] - P. S. Dutta / 1997 / / J. Appl. Phys 81 : 5821 ~

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