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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제2호
발행연도
2009.3
수록면
127 - 132 (6page)

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Sb에 기초한 응력 초격자 적외선검출소자의 구성 물질인 도핑하지 않은 기판 GaSb 결정과 GaSb/SI-GaAs 박막에 잔존하고 있는 진성결함 (intrinsic defect)을 비교 조사하였다. 상온 근처 (250 K)까지 광여기 발광 (PL)을 보이는 GaSb 결정에서의 발광 에너지의 온도의존성으로부터, 밴드갭 에너지에 관한 경험식인 Varshni 함수의 파라미터 (Eo, α, β)를 결정하였다. GaAs 기판 위에 성장된 이종 GaSb 박막에서는 GaSb의 주요 진성결함으로 알려져 있는 29 meV의 이온화 에너지를 가지는 위치반전 (antisite) Ga ([Ga<SUB>Sb</SUB>]) 결함과 함께 위치반전 Sb ([Sb<SUB>Ga</SUB>])와의 복합결함 ([Ga<SUB>Sb</SUB>-Sb<SUB>Ga</SUB>])과 관련된 것으로 분석된 732/711 meV의 한 쌍의 깊은준위 (deep level)가 관측되었다. PL의 온도 및 여기출력 의존성을 분석하여, Sb-rich 상태에서 성장된 GaSb 박막에서는 잉여 Sb의 자발확산 (self-diffusion)에 의하여 치환된 위치전도 [Ga<SUB>Sb</SUB>] 및 [Sb<SUB>Ga</SUB>]가 결합하여 [Ga<SUB>Sb</SUB>-Sb<SUB>Ga</SUB>]의 깊은준위를 형성하는 것으로 해석되었다.
#갈륨안티모니(GaSb) #밴드갭 에너지 #진성결함 #위치반전 Ga #위치반전 Sb #Gallium antimonide(GaSb) #Bandgap energy #Intrinsic defect #Antisite-Ga #Antisite-Sb

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 요약 및 결론
감사의 글
참고문헌

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