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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제18권 제2호
발행연도
2009.3
수록면
108 - 115 (8page)

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150 주기의 InAs/GaSb (8/8-ML) 제2형 응력초격자 (SLS)를 활성층에 탑재한 초격자 적외선검출소자 (SLIP) 구조를 MBE 방법으로 성장하고, 직경 200 ㎛의 개구면을 가지는 SLIP 개별소자를 시험 제작하였다. 고분해능 투과전자현미경 (TEM) 이미지의 휘도분포와 X선회절 (XRD) 곡선의 위성피크의 분석 결과는 SLS 활성층은 균일한 층두께와 주기적 응력변형을 유지하는 급격한 계면의 초격자임을 입증하였다. 흑체복사 적외선 광원을 이용하여 측정한 입사파장 및 인가전압에 따른 반응도 (R)와 검출률 (D*)로부터, 차단파장은 ~5 ㎛이고 최대 R과 D* (λ=3.25 ㎛)는 각각 ~10³ ㎃/W (-0.6 V/13 K)와 ~10? ㎝.㎐<SUP>1/2</SUP>/W (0 V/13 K)임을 보였다. 반응도의 온도의존성으로부터 분석한 활성화에너지 275 meV는 광반응 과정에 개입되어 있는 가전대 및 전도대 부준위 사이의 에너지 간격 (HH1-C)과 잘 일치하였다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 요약 및 결론
감사의 글
참고문헌

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