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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제6호
발행연도
2006.11
수록면
581 - 586 (6page)

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차세대 리소그래피 기술인 극자외선 (EUV ; Extreme UltraViolet) 빛샘 연구의 기초단계로써, 동축타입의 전극구조가 설치된 다이오드 챔버를 통해 Ar 플라스마를 생성하였으며, 방출 분광기술(emission spectroscopy)를 이용하여 방출된 가시광선 영역의 빛을 조사하였다. 장치의 입력 전압을 0.5 ㎸씩 변화를 주어 2 ~ 3.5 ㎸까지 인가를 했으며 이극챔버의 최적 압력인 330 mTorr 일 때 각 전압에 따른 방출 분광선 데이터를 얻었다. 이때 Ar Ⅰ과 Ar Ⅱ 방출선을 관측하였으며 국소적인 열적평형(LTE ; Local Thermodynamic Equilibrium) 상태의 가정 하에 볼츠만 도표(Boltzmann plot)와 사하(Saha) 방정식을 이용해 Ar Ⅰ 및 Ar Ⅱ의 전자온도와 이온밀도를 각각 계산하였다. 각 입력전압에 대해 이온밀도는 Ar Ⅰ과 Ar Ⅱ에서 각각 ~10¹?/cc 및 ~10¹³/cc의 값으로 계산되었다.
#극자외선 #리소그래피 #플라스마 집속 #방출 스펙트럼 #볼츠만 도표 #EUV #Lithography #Plasma focus #Emission spectroscopy #Boltzmann plot

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험장비 및 원리
Ⅲ. 실험 결과
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (6)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - / / EUV Lithography-The Succesorto Optical Lithography : 1 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / 2005 / 유럽 반도체업체들 ‘차세대 칩 개발컨소시엄 구성‘ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - / / Comparison ofDifferent Source Concepts for EUVL : 6 ~ 7 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Characterization of a 13.5nm Source for EUVLithography based on a Dense Plasma Focusand Lithium Emission google schola 5. [학술지(정기간행물)] - / plenumpress1993 / Glow Discharge Spectroscopies : 115 ~ 116 google schola

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