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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Journal of Korean Vacuum Society Vol.12 No.S1
- 발행연도
- 2003.10
- 수록면
- 92 - 94 (3page)
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The sputtering yield change of an amorphous Si layer on Si(100) was measured quantitatively for 0.5 keV O₂^+ and Ar^+ ion bombardment with in suit MEIS. In the case of 0.5 keV O₂^+ ion bombardment, at the initial stage of sputtering before surface oxidation, the sputtering yield of Si was 1.4 (Si atoms/O₂^+) and then decreased down to 0.06 at the ion dose of 3×10^(16) O₂^+/㎠. In the case of 0.5 keV Ar^+ ion bombardment, the sputtering yield of Si for the surface nor ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experiment
3. Results and Discussion
4. Conclusions
Acknowledgments
References
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