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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제4호
발행연도
2000.12
수록면
341 - 345 (5page)

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p형 Si (100) 기판 위에 reactive DC magnetron sputtering으로 증착한 ZrO₂ 박막에 대하여 증착조건과 열처리 조건에 따른 미세구조의 변화및 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 증착 및 열처리 온도가 증가하고 power가 증가할수록 ZrO₂의 굴절율은 증가되어 이상적인 2.0~2.2에 근접하였다. 상온에서 증착된 ZrO₂ 박막은 비정질이며 300℃에서 증착한 경우 ZrO₂ 박막은 다결정이었다. 산소 분위기에서 열처리를 수행한 박막의 RMS 값은 증착직후보다 높아지고 계면 산화막은 산소의 확산에 의해 두께가 증가하였다. Al/ZrO₂/p-type Si (100)의 C-V과 I-V 특성을 관찰하였고, 그 결과 산소분위기에서 열처리하는 경우 계면 산화막의 두께증가로 Cmax 및 누설전류가 감소함을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001267740