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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제1호
발행연도
2000.2
수록면
7 - 15 (9page)

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이온화율이 높고 저온 성막이 가능하며 넓은 진공도 영역에서 플라즈마 공정이 가능한 ECR-PECVD 장치를 제작하였다. 이 장치는 진공용기, 시료 스테이지, 진공 게이지, 진공 펌프, 가스 공급장치, 진공 실링밸브, ECR 소스, 제어창치 등으로 구성되어 있으며, microprocessor와 ROM program으로 제어할 수 있도록 설계하였다. 제작된 장치의 구성에 따라서 박막 성장시에 예상할 수 있는 특성 변화에 관심을 두고, 장치의 진공과 플라즈마 특성을 조사하였다. 본 창치로 가스 주입에 따른 진공상태의 안전성과 bias 전압으로 인한 이온 충돌 효과 등을 기대할 수 있음을 확인하였다. 플라즈마 밀도는 가스 유량과 ECR power를 증가시킬수록 높게 측정되었고 ECR 소스와 멀어질수록, 또한 진공용기 중심에서 수평 반경거리를 증가시킬수록 낮게 측정되었으며, 그 측정값의 범위는 9.7×10¹¹~3.7×10¹² ㎝-³이었고, 플라즈마 밀도 분포로부터 박막 두께의 균일성 등을 예측할 수 있음을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 플라즈마 특성

3. ECR - PECVD 장치의 제작 및 구성

4. 실험

5. 결과 및 고찰

6. 결론

감사의 글

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