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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제1호
발행연도
1998.2
수록면
24 - 28 (5page)

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n형 InGaAs에 대한 Pd/Ge계 오믹 특성을 조사하였다. 급속 열처리 방법에 의해 400℃까지 우수한 오믹 특성을 나타내어 low-10^(-6) Ω㎠의 접촉 비저항을 보였으나, 425℃ 이상에서는 오믹 금속과 InGaAs 간의 상호 확산 및 상반응에 의해 오믹 특성이 저하되었다. 350℃ 이하에서는 상변화가 발생하지 않았지만, 375℃ 부근에서 상변태가 시작되어 425℃ 이상에서는 현저한 상변화가 관찰되었다. 425℃에서 열처리한 후에도 오믹 금속과 InGaAs와의 계면이 매우 평탄하였고, 오믹 금속의 표면도 400℃까지 평탄하고 광택 있는 표면을 유지하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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