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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.12
- 수록면
- 201 - 206 (6page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (7)
2003
2002
2001
AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Si / Ti / Pt 오믹 접촉
김일호
,
박성호
Applied Science and Convergence Technology
2001.10
학술저널
이종접합 쌍극자 트랜지스터(HBT)의 에미터 접촉층으로 사용되는 InGaAs에 대한 Pd / Ge / Ti / Pt의 오믹 접촉 특성
김일호
,
장경욱
,
박성호
Applied Science and Convergence Technology
2001.07
학술저널
AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Ge / Pd / Ti / Au 오믹 접촉
김일호
한국진공학회 학술발표회초록집
2001.02
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N형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉의 급속 열처리 조건에 따른 오믹 특성을 조사하였다. 450℃까지의 열처리 동안에 전반적으로 우수한 오믹 특성을 나타내어 400℃, 20초의 급속 열처리 조건에서 최저 3.9×10^(-7) Ω㎠의 접촉 비저항을 나타내었다. 이는 열처리에 의해 생성된 Pd-Si계 화합물의 형성 및 Si의 InGaAs 표면으로의 확산과 관련이 있었다. 그러나 400℃에서 열처리 시간을 30초 이상으로 연장할 경우 접촉 비저항이 low-10^(-6) Ω㎠로 약간 증가하였고, 열처리 조건을 425~450℃/10초로 변화시킬 경우 high-10^(-7)~low-^(10-6) Ω㎠으로 약간 증가하였다. 이는 오믹 재료와 InGaAs의 반응에 의해 Pd-Ga계 화합물이 형성된 것과 관련이 있었다. 고온 열처리 후에도 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용 가능하다고 판단된다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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참고문헌 (0)
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