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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.4
- 수록면
- 43 - 49 (7page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (7)
2003
2002
2001
AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Si / Ti / Pt 오믹 접촉
김일호
,
박성호
Applied Science and Convergence Technology
2001.10
학술저널
이종접합 쌍극자 트랜지스터(HBT)의 에미터 접촉층으로 사용되는 InGaAs에 대한 Pd / Ge / Ti / Pt의 오믹 접촉 특성
김일호
,
장경욱
,
박성호
Applied Science and Convergence Technology
2001.07
학술저널
AlGaAs / GaAs HBT 응용을 위한 Pd / Ge / Pd / Ti / Au 오믹 접촉
김일호
한국진공학회 학술발표회초록집
2001.02
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N형 InGaAs에 대한 Pd/Ge/Pd/Ti/Au 오믹 접촉의 급속 열처리 조건에 따른 오믹 특성을 조사하였다. 450℃까지의 열처리에 의해 우수한 오믹 특성을 나타내어 400℃/10초의 급속 열처리 후에 최저 1.1×10^(-6) Ω㎠의 접촉 비저항을 나타내었다. 425℃ 이상의 열처리 후에 접촉 비저항이 점점 증가하여 450℃에서는 오믹 재료와 InGaAs의 반응에 의해 오믹 특성의 열화가 나타났다. 그러나 high-10^(-6) Ω㎠ 정도의 비교적 우수한 오믹 특성을 유지하였고, 양호한 표면 및 계면이 얻어져 화합물 반도체 소자에의 응용 가능성이 충분한 것으로 판단된다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (0)
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