메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제4호
발행연도
1997.11
수록면
343 - 347 (5page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

이 논문의 연구 히스토리 (4)

1997

Oxygen이 주입된 p+ - InGaAs층에서의 compensation 특성
시상기 ,  김성준 Applied Science and Convergence Technology 1997.11 학술저널
이온 주입의 전기적 고립을 통한 평면형 다중 양자 우물 구조의 애벌런치 & pn 및 p - i - n 광 다이오드의 제작 및 전기적 특성 ( The Fabrication and Electrical Characteristics of Planar Multi - Quantum Well ( MQW ) Avalanche , MQW - pn , and p - i - n Photodiode Implanted with Oxygen for Electrical Isolation )
시상기 ,  김성준 ,  D. Sivico 외 2명 전자공학회논문지-D 1997.09 학술저널
Oxygen 이온주입에 의한 평면형 MQW , p-i-n 광 다이오드의 전기적 고립 ( The Electrical Isolation of Planar MQW & p-i-n Photodiode by Oxygen Ion Implantation )
시상기 ,  김성준 대한전자공학회 학술대회 1997.01 학술대회자료
Oxygen 이온주입에 의한 평면형 MQW , p-i-n 광 다이오드의 전기적 고립 ( The Electrical Isolation of Planar MQW & p-i-n Photodiode by Oxygen Ion Implantation )
시상기 ,  김성준 한국통신학회 광전자공학 학술회의 1997.01 학술대회자료

초록· 키워드

오류제보하기
전기적 고립(isolation) 효과를 알아보기 위해 p^+-InGaAs층에 oxygen을 이온 주입하여 annealing 온도에 따른 compensation mechanism을 조사하였다. 500℃이하에서는 전도도가 손상에 관련된 트랩들에 의해 지배되며 500~600℃ 영역에서는 oxygen의 활성화로 acceptor를 compensate시키는 화학적 효과를 나타냈으며 특히 600℃에서 type conversion(p→n-type)이 일어났다. 이는 annealing 온도가 증가함에 따라 oxygen의 화학적 작용에 의해 생성된 donor로 작용하는 결함들의 증가에 기인하며, 이때 면 저항의 활성화 에너지는 24.2 meV로 shallow donor로 작용하는 In interstitial과 같은 native defect들이 형성되기 때문이라 생각된다. Type conversion이 일어난 600℃ 이상의 영역에서는 이온 주입에 의해 형성된 interstitial Be의 재활성화로 인해 n형 전도도가 감소하는 경향을 보였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 특성 분석 및 토의

4. 결론

감사의 글

참고문헌

참고문헌 (0)

참고문헌 신청
참고문헌이 DBpia에서 서비스 중이라면, [참고문헌 신청]을 통해 등록해보세요

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001263222