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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제2호
발행연도
2006.3
수록면
201 - 208 (8page)

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전류 차단층으로서 AlAs 자연산화층 (AlO<SUB>x</SUB>) 을 갖는 InGaAs 양자점 (quantum dot) 구조를 분자선 박막 성장법 (molecular beam epitaxy)과 습식 산화법 (wet oxidation)을 이용하여 제작하였고, 이들 구조의 열처리에 따른 광학적인 특성 변화를 photoluminescence (PL), PL excitation, 그리고 공간분해능을 갖는 micro PL을 이용하여 분석하였다. 습식 산화와 열처리 과정을 통해 intermixing된 InGaAs 양자점 영역에서 PL 특성을 조사한 결과, intermixing 되지 않은 영역보다 높은 에너지에서 완만한 PL peak이 추가적으로 관측되었다. 산화되지 않은 (non oxided) AlAs 아래에 있는 InGaAs양자점 영역에서는 약 1.1 eV에서 PL emission이 주로 관측되었으나, AlO<SUB>x</SUB>와 SiN<SUB>x</SUB>에 의해 intermixing된 InGaAs 양자점 영역에서는 각각 약 1.16 eV와 1.18 ~ 1.20 eV 에서의 PL emission도 함께 관측되었다. 실험 결과, AlO<SUB>x</SUB> 층이 있는 InGaAs 양자점 영역이 산화 되지 않은 AlAs 층이 있는 영역에 비해서 intermixing 효과가 크게 작용함을 알 수 있었다.
#InGaAs 양자점 #수직공진 면발광 레이저 #Intermixing #Micro PL #InGaAs QD #VCSEL

목차

국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract

참고문헌 (0)

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