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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제1호
발행연도
1995.3
수록면
46 - 50 (5page)

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물성을 달리한 α-Si을 사용하여 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 antifuse들을 제작하고, 물성의 변화에 따른 전기적 특성의 변화를 조사하였다. α-Si은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방법으로 증착하였으며, 물성은 RF power를 달리하여 변화시켰다. α-Si MIM 구조의 antifuse를 프로그램할 때 생기는 failure rate를 줄이기 위해 전극 사이에 삽입되는 α-Si의 contact hole 크기와 갯수를 변화시켜 보았다. MIM antifuse는 contact hole이 2개 이상일 때 failure rate가 10% 이내로 줄었으며, 프로그래밍 전류는 거의 변화가 없었다. 항복전압은 10-11V 범위에 집중적으로 분포하였으며, 5V에서의 누설전류는 contact hole의 수가 증가함에 따라 커짐을 알았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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