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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.3
- 수록면
- 40 - 45 (6page)
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양질의 Ta₂O_5 박막을 양극산화법으로 제작 할 수 있음을 보였다. 양극산화 직후 이 비정질 박막의 두께가 750 Å 일 때 굴절율은 2.1∼2.2, 유전율은 25 이상 그리고 1 MVcm-¹의 전기장에서 누설전류가 10^(-8) Acm-² 이하인 우수한 전기적 특성을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 이 Ta₂O_5 박막으로 MIM소자를 제작하였을 때, 완벽한 전류-전압 대칭성을 볼 수 있었다. 이러한 MIM소자는 새로운 방법의 양극산화법과 열처리 기법으로 만들 수 있는바 상위 전극의 종류와 열처리 조건에 따른 이 MIM소자의 특성에 관하여서 논의하였다
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. MIM 구조의 LCD
3. 실험 및 결과 고찰
4. 결론
참고문헌
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