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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제3호
발행연도
1997.8
수록면
194 - 199 (6page)

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Al/a-Si:H/Mo 구조의 MIM(Metal-Insulator-Metal) antifuse를 제작하여 antifuse의 I-V 특성을 조사하고, 온저항의 분포를 구하였다. 제작된 antifuse의 누설전류는 1 ㎀/㎛² 이하였고, 프로그래밍 전압은 10~11 V 내에 분포하였다. 프로그램 후 온저항은 대부분 10~20Ω 이었고, 20% 정도는 100Ω 이상의 분포도를 보였다. 이러한 온저항 분포의 편차와 저항값을 줄이기 위해 이미 프로그램된 antifuse에 다시 전류를 주입하는 재 프로그래밍 방법을 시도하였다. 이 방법을 통하여 100Ω 이상의 온저항을 가지는 antifuse를 다시 50Ω 이하로 낮출 수 있었다. 재 프로그래밍 방법을 사용한 antifuse는 한번만 프로그래밍 했을 때 보다 더욱 더 균일하고 낮은 온저항 분포를 가졌다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 분석

4. 결과

참고문헌

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