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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제1호
발행연도
1994.3
수록면
117 - 121 (5page)

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SrTiO₃(100) 단결정을 3 keV 아르곤 이온으로 에칭하면 표면 원소의 산화 상태가 환원되고 표면의 거칠기가 증가하는 것이 XPS와 SEM으로 측정되었다. 그러나 3 keV의 산소이온으로 에칭하면 표면 원소의 화학적 상태도 변하지 않고 표면도 평탄한 상태로 계속 유지된다. 산소 이온에 의하여 에칭된 SrTO₃ 기판상에 off-axis rf 스퍼트링 방법으로 성장된 YBa₂Cu₃O_x 박막이 아르곤 이온에 의하여 에칭된 SrTiO₃ 기판상에 성장된 YBa₂Cu₃O_x 박막보다 높은 T_(c, zero) and J_c를 보여주었다. 이 논문은 YBCO 초전도 박막의 성장과 전자공학적 활용올 위한 리토그라피 공정에서 이온밀링 공정의 조건은 매우 주의하여 선택되어야 함을 보여준다.

목차

요약

Abstract

1. Introduction

2. Experimentals

3. Results and Discussions

4. Conclusions

Acknowledgements

References

참고문헌 (0)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001265660