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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제1호
발행연도
2002.4
수록면
22 - 27 (6page)

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Reactive sputtering 방법으로 증착된 tungsten nitride (WN_x) 박막에 대해 N₂ 유량비 변화에 따르는 구조, 화학결합, 그리고 비저항 값의 변화를 조사하였다. WN_x 박막 증착시 N₂ 유량비를 20%, 40%, 60%로 늘려감에 따라 그 구조는 각각 bcc β-W 상, 비정질상, 그리고 fcc W₂N 상으로 변화하였으며, 비정질상이 형성되었을 때 박막 표면이 가장 평탄하였다. WN_x 박막이 공기 중에 노출된 경우, 모든 시료 표면에서 WO₃ 산화물이 형성되었으며, N₂ 유량비가 증가할수록 WN_x 박막내 N의 조성비가 증가하였고, W 4f_(7/2) peak가 높은 binding energy 쪽으로 이동하였다. 하지만 시료표면을 Ar^+ 이온으로 etching한 후에는 WN_x 박막 표면이 비정질화되기 때문에 N의 조성비가 변화함에도 불구하고 W4f_(7/2) peak가 거의 변화하지 않았다. 박막의 비저항 값은 N₂ 유량비가 증가함에 따라 증가하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

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