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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제1호
발행연도
1999.2
수록면
51 - 54 (4page)

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Ar기 처리를 하면서 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 제작하였다. 연속증착할때의 deposition rate는 1.9Å/s 이었으며, Ar기 처 리시간을 0.5분, 1분으로 증가시키면 2.8Å/s, 3.3Å/s로 증가하였다. Ar기 처리시간이 2분, 3분일때는 3.3Å/s로 일정하였다. Ar기 처리시간을 증가시키면 광학적 밴드 갭과 박막내의 수소량이 증가하다가 약간 감소하는 경향을 보였다. Ar기 처리한 a-Si:H 박막도 Staebler-Wronski 효과를 보였으나, 연속증착된 a-Si:H 보다 광열화 현상이 많이 감소하였다. 1시간의 빛조사에 의하여 연속증착된 a-Si:H 박막의 경우, 상온에서의 전기전도도와 전기전도도 활성화에너지(E_a)는 각각 1/25배, 0.09 eV 증가하였다. Ar기 처리를 한 경우, 상온에서의 전기전도도는 1/3배, E_a는 0.03 eV 증가하였다. Ar기 처리를 함으로서 a-Si:H박막의 빛에 대한 안정성을 향상시킬 수 있었으며, 안정성향상에 관한 미시적 과정을 논의하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

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