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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제1호
발행연도
1996.3
수록면
73 - 76 (4page)

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수소기처리를 통하여 초격자구조를 가지는 a-Si:H 박막을 최초로 제작하였다. 수소기처리를 하면서 a-Si:H 박막을 제작하고 그 전기적 광학적 특성을 연구하였다. 수소기처리시간이 길어질수록 광학적 밴드갭이 감소하고 박막내 수소량이 감소한다. 50Å 증착과 수소기처리를 반복하여 제작된 a-Si:H 박막은 초격자구조를 가지고 있음을 TEM으로 확인하였다. a-Si:H 박막의 이러한 초격자구조가 광안정성이 매우 뛰어나다는 성질을 갖게됨을 전기전도도결과로 알 수 있었다. 이러한 결과들을 장거리 구조적 완화모텔과 Fritzche의 light-induced defects(LID) 성질들과 연관지어 설명하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 논의

4. 결론

감사의 글

참고문헌

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