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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.2
- 수록면
- 44 - 49 (6page)
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반응성 RF 스퍼터링 장치에 반응성 질소와 작업가스 아르곤을 동시에 주입하면서 Al을 스퍼터링 하여 AlN 박막을 형성하였다. poIycarbonate 기판이나 이 디스크 표면 위의 micron 크기의 pregroove 형태에 손상이 일어나지 않을 정도의 저온을 유지키 위하여 플라즈마(pIasma) 자체 온도(100℃이하)로 가열하면서 Silicon과 glass 기판 위에 AlN 박막을 증착시켰다. 여러 증착변수 변화에 따른 박막의 결정성, 단면형상 및 굴절율의 변화 등을 분석하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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