Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films as Passivation Layers Deposited by Microwave Remote-PECVD for Heterojunction Solar Cells

전민성; Kamisako Koichi

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자료유형: 학술저널

저자정보: 전민성 Kamisako Koichi

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제10권 제3호

발행연도: 2009.1

수록면: 75 - 79 (5page)

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An intrinsic silicon thin film passivation layer is deposited by the microwave remote-plasma enhanced chemical vapor deposition at temperature of 175 oC and various gas ratios for solar cell applications. The good quality amorphous silicon films were formed at silane (SiH4) gas flow rates above 15 sccm. The highest effective carrier lifetime was obtained at the SiH4 flow rate of 20 sccm and the value was about 3 times higher compared with the bulk lifetime of 5.6 μs at a fixed injection level of Δn = 5×1014 cm-3. An annealing treatment was performed and the carrier life times were increased approximately 5 times compared with the bulk lifetime. The optimal annealing temperature and time were obtained at 250 oC and 60 sec respectively. This indicates that the combination of the deposition of an amorphous thin film at a low temperature and the annealing treatment contributes to the excellent surface and bulk passivation.

#Microwave #Solar cells #Thin film #Heterojunction #Passivation layer

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A. A. Langford / 1992 / / Phys. Rev. B 45 : 13367 ~

C. H. Jeong / 2007 / / J. Nanosci. Nanotechnol 7 : 4169 ~

Chaehwan Jeong / 2008 / Characterizations of i-a-Si:H and p-a-SiC:H Film using ICP-CVD Method to the Fabrication of Large-area Heterojunction Silicon Solar Cells / Transactio

D. K. Basa / 1990 / / Thin Solid Films 192 : 121 ~

E. C. Freeman / 1978 / / Phys. Rev. B 18 : 4288 ~

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