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저자정보
Sung-Kwen Oh (Chungnam National University) Hong-Sik Shin (Chungnam National University) Kwang-Seok Jeong (Chungnam National University) Meng Li (Chungnam National University) Horyeong Lee (Chungnam National University) Kyumin Han (Chungnam National University) Yongwoo Lee (DMS Co.) Ga-Won Lee (Chungnam National University) Hi-Deok Lee (Chungnam National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.13 No.6
발행연도
2013.12
수록면
581 - 588 (8page)

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This paper presents a study of the process temperature dependence of Al₂O₃ film grown by thermal atomic layer deposition (ALD) as a passivation layer in the crystalline Si (c-Si) solar cells. The deposition rate of Al₂O₃ film maintained almost the same until 250 ℃, but decreased from 300 ℃. Al₂O₃ film deposited at 250 ℃ was found to have the highest negative fixed oxide charge density (Qf) due to its O-rich condition and low hydroxyl group (-OH) density. After post-metallization annealing (PMA), Al₂O₃ film deposited at 250 ℃ had the lowest slow and fast interface trap density. Actually, Al₂O₃ film deposited at 250 ℃ showed the best passivation effects, that is, the highest excess carrier lifetime (τPCD) and lowest surface recombination velocity (Seff) than other conditions. Therefore, Al₂O₃ film deposited at 250 ℃ exhibited excellent chemical and field-effect passivation properties for p-type c-Si solar cells.
#Solar cell #Al₂O₃ #passivation layer #thermal ALD #negative fixed oxide charge

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL
III. RESULTS AND DISCUSSIONS
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - J. Schmidt / 2008 / Surface passivation of high-efficiency silicon solar cells by atomic-layer-deposited Al2O3 / Progress in Photovoltaics: Research and Applications 16 (6) : 461 ~ 466 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - B. Hoex / 2008 / On the c-Si surface passivation mechanism by the negative-charge-dielectric Al2O3 / Journal of Applied physics 104 (11) : 113703 ~ 113703-7 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - F. Werner / 2011 / Electronic and chemical properties of the c- Si/Al2O3 interface / Journal of Applied Physics 109 (11) : 113701 ~ 113701-6 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - G. Dingemans / 2012 / Status and prospects of Al2O3-based surface passivation schemes for silicon solar cells / Journal of Vacuum Science & Technology A 30 (4) : 040802 ~ 040802-27 google schola 5. [단행본] - E. H. Nicollian / 1982 / MOS Physics and Technology / Wiley : 330 ~ 332 google schola

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