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한국신재생에너지학회 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
발행연도
2009.6
수록면
172 - 175 (4page)

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n-type crystalline silicon wafers were passivated with intrinsic a-Si:H thin films on both sides using HWCVD. Minority carrier lifetime measurement was used to verify interface passivation properties between a-Si:H thin film and crystalline Si wafer. Thin film interface characteristics were investigated depending on H₂/SiH₄ ratio and hot wire deposition temperature. Vacuum annealing were processed after deposition a-Si:H thin films on both sides to investigate thermal effects from post process steps. We noticed the effect of interface passivation properties according to H₂/SiH₄ ratio and hot wire deposition temperature, and we had maximum point of minority carrier lifetime at H2/SiH4 10 ratio and 1600?C wire temperature.
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