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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제5호
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 225 - 228 (4page)
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In this work, we studied the optimized copper thickness in Cu ECP (Electrochemical Plating). In order to select an optimized Cu ECP thickness, we examined Cu ECP bulge (bump, hump or over-plating amount), Cu CMP dishing and electrical properties of via hole and line trench over dual damascene patterned wafers split into different ECP Cu thickness. In the aspect of bump and dishing, the bulge increased according as target plating thickness decreased. Dishing of edge was larger than center of wafer. Also in case of electrical property, metal line resistance distribution became broad gradually according as Cu ECP thickness decreased. In conclusion, at least 20 % reduced Cu ECP thickness from current baseline; 0.8 μm and 1.0 μm are suitable to be adopted as newly optimized Cu ECP thickness for local and intermediate layer.
목차
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/ 1998. / Electro-chemical deposition technology for ULSI multilevel copper interconnects 1998 5th Inter-national Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
/ 1998. / Study on planarizing process for high aspect ratio via-holes using for electroplating and apply to process for Cu/polyimide multilayer substrates : 224 ~
/ 2000. / A novel compact ECD tool for ULSI Cu metallization Proceedings of the ISSM 2000 The Ninth International Symposium on Semiconductor Manu-facturing : 106 ~
/ 2000. / Copper electroplating for future ultralarge scale integration interconnection 18 : 2 656 ~
/ 2002. / Barrier crystallographic texture control and its impact on copper interconnect reliability Proceedings of the IEEE 2002 International Interconnect Technology Confer
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/ 2000. / Copper electroplating for future ultralarge scale integration interconnection 18 : 2 656 ~
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