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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 361 - 366 (6page)
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The interface stability of Ta-Mo alloy film on SiO2 was investigated. Ta-Mo alloy films were formed by co-sputtering method, and the alloy composition was varied by controlling Ta and Mo sputtering power. When the atomic composition of Ta was about 91%, the measured work function was 4.24 eV that is suitable for NMOS gate. To identify interface stability between Ta-Mo alloy film and SiO2, C-V and XRD measurements were performed on the samples annealed with rapid thermal processor between 600℃ and 900℃. Even after 900℃ rapid thermal annealing, excellent interface stability and electrical properties were observed. Also, thermodynamic analysis was studied to compare with experimental results.
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/ 1984. / Introduction to Metallurgical Thermodynamics : 226 ~
/ 1984. / Thermodynamic considerations in refractory metal-silicon-oxygen systems 56 (1) : 147 ~
/ 1992. / Binary Alloy Phase Diagrams
/ 1994. / Al2O3 절연박막의 형성과 그 활용방안에 관한 연구 7 (1) : 57 ~
/ 1994. / Thermochemical data of pure substances : 1440 ~
/ 1984. / Thermodynamic considerations in refractory metal-silicon-oxygen systems 56 (1) : 147 ~
/ 1992. / Binary Alloy Phase Diagrams
/ 1994. / Al2O3 절연박막의 형성과 그 활용방안에 관한 연구 7 (1) : 57 ~
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