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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제5호
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 191 - 195 (5page)
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We investigated photoluminescence characteristics of ZnO nano needle-like rods grown on a c-plane Al2O3 substrate by the hot wall epitaxy method. The nano-rods were vertically well aligned along the ZnO c-axis. The diameters of the ZnO nano-rods ranged from 20 nm to 30 nm and their lengths were between 600 and 700 nm. In the photoluminescence spectrum at 10 K, the exciton emission bound to the neutral donor dominated while defect related emission was weakly observed. With a further increase of temperature, the free exciton emission appeared and eventually became dominant at room temperature.
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/ 1964. / Hydrothermal growth of large sound crystals of zinc oxide 47 : 9 ~
/ 1967. / Temperature dependence of the energy gap in semiconductors 34 : 149 ~
/ 1997. / Optically pumped lasing of ZnO at room temperature 70 : 2230 ~
/ 1997. / Ultraviolet spontaneous and stimulated emissions from ZnO microcrystallite thin films at room temperature 103 : 459 ~
/ 2001. / Catalytic growth of Zinc Oxide nanowires by vapor transport 13 : 113 ~
/ 1967. / Temperature dependence of the energy gap in semiconductors 34 : 149 ~
/ 1997. / Optically pumped lasing of ZnO at room temperature 70 : 2230 ~
/ 1997. / Ultraviolet spontaneous and stimulated emissions from ZnO microcrystallite thin films at room temperature 103 : 459 ~
/ 2001. / Catalytic growth of Zinc Oxide nanowires by vapor transport 13 : 113 ~
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