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저자정보
Kim, Jun-Kwan (MIT Device Team, IT-Convergence & Components Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute) Lim, Jung-Wook (MIT Device Team, IT-Convergence & Components Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute) Kim, Hyun-Tak (MIT Device Team, IT-Convergence & Components Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute) Yun, Sun-Jin (MIT Device Team, IT-Convergence & Components Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2008.1
수록면
895 - 897 (3page)

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ZnO films were fabricated using rf-magnetron sputter deposition process with different $N_2$ ambient. N-content in N-doped ZnO films was less than 1%. The wavelength of the highest intensity PL peak of N-doped ZnO was shifted to higher wavelength with increasing $N_2$ flow rate in the deposition ambient. These results indicated that the optical property of ZnO was significantly affected by the defect level created by doping with a very small amount of N.
#N-doped ZnO #photoluminescence #optical properties

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