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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
153 - 156 (4page)

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Structural and electrical properties of the fully crystallized-bismuth magnesium niobate (Bi2Mg2/3Nb4/3O7, BMN) films with 15 mol% excess bismuth deposited on Pt bottom electrode by pulsed laser deposition are characterized for various deposition temperatures. The BMN films were crystallized with a monoclinic structure from 300oC and the surface roughness slightly decreases with increasing deposition temperature. The capacitance density of the films increases with increasing deposition temperature and especially, films deposited at 400oC exhibit a capacitance density of approximately 620 nF/cm2. The crystallized BMN films with approximately 170 nm thickness exhibit breakdown strength above 600 kV/cm (≤ 10 V) irrespective of deposition temperature and a leakage current density of approximately 2 x 10-8 A/cm2 at 590 kV/cm (at 10 V).

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