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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제1호
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 14 - 17 (4page)
이용수
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The SrRuO3 films for application of the bottom electrode were deposited on p-Si (001) substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The films are characterized by various deposition parameters. The optimum deposition condition for SRO films is the deposition temperature of 500 oC, Sr/Ru input mol ratio of 1.0, and a flow rate of precursors of 15 ml/h. The films deposited by an optimum condition exhibited a single phase of SrRuO3, an rms roughness of 8 nm, and a resistivity of approximately 900 mW×cm. The high resistivity of the films for application of a bottom electrode should be improved through a characterization of an interface.
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/ 1995 / Nonorthogonal twinning in thin film oxide perovskites 67 : 2480 ~
/ 1996 / Characteristics of conductive SrRuO3 thin films with different microstructures 11 (9) : 2263 ~
/ 1997 / Properties of polycrystalline SrRuO3 thin films on Si substrates 32 (1) : 83 ~
/ 1998 / Effects of miscut of the SrTiO3 substrate on microstructures of the epitaxial SrRuO3 thin films b56 (2-3) : 152 ~
/ 1999 / Preparation of epitaxial SrRuO3 thin film by metalorganic chemical vapor deposition 24 : 51 ~
/ 1996 / Characteristics of conductive SrRuO3 thin films with different microstructures 11 (9) : 2263 ~
/ 1997 / Properties of polycrystalline SrRuO3 thin films on Si substrates 32 (1) : 83 ~
/ 1998 / Effects of miscut of the SrTiO3 substrate on microstructures of the epitaxial SrRuO3 thin films b56 (2-3) : 152 ~
/ 1999 / Preparation of epitaxial SrRuO3 thin film by metalorganic chemical vapor deposition 24 : 51 ~
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