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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
342 - 347 (6page)

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Bi6Mg2Nb4O21(BMN) thin films were deposited at various substrates by sputtering system for embedded capacitor applications. BMN thin films deposited at room temperature are manufactured as MIM(Metal/Insulator/Metal) structures. Dielectric properties and leakage current density were investigated as a function of various substrates and thickness of BMN thin films. Leakage current density of BMN thin films deposited on CCL(Copper Clad Laminates) showed relatively high value (1x10-3 A/cm2) at an applied field of 300 kV/cm on substrates, possibly due to relatively high value of roughness(rms 50 Å) of CCL substrates. 100 nm-thick BMN thin films deposited on Cu/Ti/Si substrates showed the capacitance density of 300 nF/cm2, a dielectric constant of 32, a dielectric loss of 2 % at 100 kHz and the leakage current density of 1x10-6 A/cm2 at an applied field of 300 kV/cm. BMN capacitors are expected to be promising candidates as embedded capacitors for printed circuit board(PCB).

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