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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
18 - 22 (5page)

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Epitaxial aluminum nitride films on 6H-SiC (0001) were fabricated using reactive RF magnetron sputtering and post-deposition rapid thermal annealing. The electrical properties of AlN films depending on film thickness and measurement temperature have been observed. Full width at half maximum of AlN (0002) was 0.1204° (about 430 arcsec) X-ray rocking curve results. The equivalent oxide thickness (EOT) of AlN film was estimated as about 10 nm and the leakage current density was within the order of 10-8 A/cm2. The dielectric constant of AlN film estimated from the accumulation region of C-V curve measured at 300 ℃ was 8.3. The dynamic dielectric constant was obtained as 5.1 from J vs. 1/T plots at the temperature ranging from R.T. to 300 ℃. From above, estimation temperature dependance of the electrical properties of Al/AlN/SiC MIS devices was affirmed and useful data compilation for the reliabilities of SiC MIS is expected.
#Reactive RF magnetron sputtering #MIS #Metal-insulator-semiconductor) #EOT #Equivalent oxide thickness) #Rocking curve #RTA #Rapid thermal annealing)

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참고문헌 (7)

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/ 1967. / Infrared lattice vibration vapour-grown AlN 5 (11) : 851 ~ google schola / 1981. / Physics of Semiconductor Devices : 402 ~ google schola / 1993. / 6H-silicon carbide devices and applications 185 (1-4) : 461 ~ google schola / 1997. / Advances in SiC MOS Technology 162 (1) : 305 ~ google schola / 1998. / Semiconductor Material and Device Characterization : 279 ~ google schola

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