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- 2002.1
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In this study, we have investigated photo-induced changes of optical energy gap (EOP) and photoluminescence (PL) in amorphous (a-) Se100-xGex (x = 5, 25 and 33) thin films prepared by conventional thermal evaporation method. In the a-Se100-xGex thin film, the EOP is obtained by a linear extrapolation of the(αhν)1/2 versus hν plot to the energy axis using the optical absorption coefficient (α) calculated from the extinction coefficient k measured in the wavelength range of 290～900nm. Although the values of ΔEOP are very different, all films exhibit photo-induced photo-darkening (PD) effect that is a red shift of EOP. In particular, ΔEOP in a-Se75Ge25 thin film exhibits the largest value(i.e.,ΔEOP～40meVfora-Se95Ge5,ΔEOP～200meVfora-Se75Ge25,ΔEOP～130meVfor a-Se67Ge33). PL spectra in a-SeGe by hvHeCd have no-Stokes shift (SS) and show a tendency dependent on both composition and illumination time. We explain the energy-induced phenomena such as the PD and thermal bleaching, the native charged-defect generation and the no-SS PL, etc..
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