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자료유형
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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제5호
발행연도
2007.1
수록면
196 - 200 (5page)

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In this paper, we propose and discuss the design using a simple method that reduces the fixed pattern noise (FPN) generated on the amorphous Si (α-Si) bolometer. This method is applicable to an IR image sensor. This method can also minimize the size of the reference resistor in the readout integrated circuit (ROIC) which processes the signal of an IR image sensor. By connecting four bolometer cells in parallel and averaging the resistances of the bolometer cells, the fixed pattern noise generated in the bolometer cell due to process variations is remarkably reduced. Moreover an α-Si bolometer cell, which is made by a MEMS process, has a large resistance value to guarantee an accurate resistance value. This makes the reference resistor be large. In the proposed cell structure, because the bolometer cells connected in parallel have a quarter of the original bolometer’s resistance, a reference resistor, which is made by poly-Si in a CMOS process chip, is implemented to be the size of a quarter. We designed a ROIC with the proposed cell structure and implemented the circuit using a 0.35 um CMOS process.
#ROIC #Fixed pattern noise #Micro bolometer #IR image sensor #MEMS

목차

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참고문헌 (7)

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/ 1986. / Switched-capacitor integrator with reduced sensitivity to amplifier gain 22 (21) : 1103 ~ google schola / 2000 / Modeling and Characterization of CMOS Readout Circuits for Monolithic Uncooled IR Thermoelectric Sensors : 421 ~ google schola / 2000. / Readout architecture for uncooled IR detector arrays 84 : 220 ~ google schola / 2003. / Noise analysis or correlated double sampling SC integrators with a hold capacitor 50 (9) : 1198 ~ google schola / 2004. / Noise analysis of high-gain, low-noise column readout circuits for CMOS image sensors 51 (2) : 185 ~ google schola

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