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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제8권 제6호
발행연도
2007.1
수록면
250 - 254 (5page)

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Applying the moving photo-carrier grating (MPG) technique and time-of-flight (TOF) measurements, we studied the transport properties of stabilized amorphous selenium typical of the material used in direct conversion X-ray imaging devices. For MPG measurement, we obtained electron and hole mobility and the recombination lifetime of a-Se films with arsenic (As) additions. We found an apparent increase in hole drift mobility and recombination lifetime, especially when 0.3 % As was added into a-Se film, whereas electron mobility decreased with the addition of As due to the defect density. For TOF measurement, a laser beam with pulse duration of 5 ns and wavelength of 350 nm was illuminated on the surface of a-Se with a thickness of 400 mm. The measured hole and electron transit times were about 8.73 ms and 229.17 ms, respectively.
#Carrier mobility #Charge transport #Conversion material #Moving photo-carrier grating #MPG) #Recombination #Time of flight #TOF) #Transient time

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/ 1991 / In Handbook of Imaging Materials google schola / 1991 / X-ray induced hole trapping in electroradiographic plates google schola / 1994 / Determination of the photocarrier lifetime in amorphous silicon with the moving photocarrier grating technique google schola / 1995 / Analysis of the moving-photocarrier-grating technique for the determination of mobility and lifetime of photocarriers in semiconductors 51 (16) : 10579 ~ google schola / 1995 / X-ray image using amorphous selenium: Feasibility of a flat panel self-scanned detector for the digital radiography 22 : 1595 ~ google schola

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