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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.6
- 수록면
- 1,451 - 1,454 (4page)
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There are two methods on the digital x-ray image detector. X-ray changes to visual light and then visual light converts to electric signal (electron hole pair) on the indirect digital X-ray image detector. However, on the direct digital X-ray image detector, X-ray directly converts to electrical signal. Normally, the direct X-ray image detectors has been applied for the digital radiation diagnosis image systems based on the amorphous selenium (a-Se). We evaluate of an electric field distribution in the a-Se at high voltage (-5000 V). Also, we characterize the photocurrent, the rate of electron-hole pair generation and electron-hole recombination in the a-Se when electromagnetic radiation (wavelength 486 nm) is irradiated. This simulation method is proposed for the first time and it is useful to analysis of direct X-ray image detector. These results are useful to develop the applications such as medical instruments using radiation diagnosis.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
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