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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 218 - 221 (4page)
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전력 반도체의 온-저항을 낮추는 방법으로 게이트 패드 하부에 액티브 셀을 구성하여 드레인과 소스 사이의 내부 저항을 줄여서 전력 손실을 줄일 수 있는 구조를 적용한 600 V급 전력 MOSFET을 제작하였다. 제작된 소자는 게이트 패드 내의 액티브 셀을 적용하지 않은 기존 소자와 동일한 700 V의 항복전압 특성과 0.7 V의 소스-드레인 간의 전압 특성을 확인하였고 게이트 영역에 다수의 액티브 셀을 추가하여 동일한 항복전압에서 온-저항 특성이 약 1.88 Ω에서 1.68 Ω으로 약 10% 정도 감소시킬 수 있음을 확인하였다. 본 연구에서 얻어진 온-저항 감소 특성은 반도체 소자의 전자전달 메커니즘 연구를 통한 전력 반도체 소자 개발의 기초 자료로서 활용될 것으로 기대된다.
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