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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.8
- 수록면
- 77 - 89 (13page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2022.59.8.77
이용수
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N-MOSFET은 게이트-소스 전압에 의해 고유의 내부 저항인 온-저항이 변한다. Back-To-Back 구조로 연결된 N-MOSFET은 입력 전압에 따라 소스 전압이 변하기 때문에 온-저항이 항상 일정하지 않다. 본 논문에서 제안하는 가변 게이트 전압 회로를 적용하면 MOSFET 소스 전압에 따라 게이트 전압을 조절하기 때문에 게이트-소스 전압을 항상 일정하게 유지한다. 그러므로 MOSFET은 안정된 Turn-on/off 동작을 하게 된다. 시뮬레이션을 통해 Turn-on 상태일 때 MOSFET 스위치의 저항값은 약 4.02618mΩ, Turn-off 상태일 때 최소 25MegΩ을 확인하였다. 이 MOSFET 스위치 구조를 기반으로 매트릭스 스위치를 설계하고, 시뮬레이션을 통해 각 MOSFET 스위치의 저항값은 위치(행/열)와, 연결된 개수에 상관없이 모두 동일한 4.02618mΩ을 확인하였다. 그리고 온도가 10℃ 증가할 때마다 저항값이 약 0.1mΩ ~ 0.16mΩ 증가하는 것을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
J. M. Ryu, S. H. Choi, K. H. Park and C. S. Huh, “Analysis of the Bouncing Phenomenon due to the Deterioration of the Relay Contact”, Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, 27, 6, pp. 383-388, 2014.
Y. I. Choi, “Power MOSFET”, The Korean Institute of Electrical Engineers, 34, 5, pp. 38-44, 1985.
Cadence, “PSpice User Guide”, Product Version 17.4-2019, pp. 168-169, Oct. 2019
ROHM Semiconductor, “RS1E280GN Data Sheet”, 20160517-Rev.003, pp. 1-3, 2016
Texas Instruments, “OPAx192 36-V, Precision, Rail-to-Rail Input/Output, Low Offset Voltage, Low Input Bias Current Op Amp with e-trim”, Rev.E, pp 6-11, Nov. 2015
Y. I. Choi, “Power MOSFET”, The Korean Institute of Electrical Engineers, 34, 5, pp. 38-44, 1985.
Cadence, “PSpice User Guide”, Product Version 17.4-2019, pp. 168-169, Oct. 2019
ROHM Semiconductor, “RS1E280GN Data Sheet”, 20160517-Rev.003, pp. 1-3, 2016
Texas Instruments, “OPAx192 36-V, Precision, Rail-to-Rail Input/Output, Low Offset Voltage, Low Input Bias Current Op Amp with e-trim”, Rev.E, pp 6-11, Nov. 2015
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