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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제5호
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 185 - 188 (4page)
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Phase transitions from the amorphous to crystalline states, and vice versa, of GST(GeSbTe) and AST(AsSbTe) thin films by applying electrical pulses have been studied. These materials can be used as nonvolatile memory devices. The thickness of ternary chalcogenide thin films is approximately 100 nm. Upper and lower electrodes were made of Al. I-V characteristics after impressing the variable pulses to GST and AST films. Tc(crystallization temperature) of AST system is lower than that of the GST system, so that the current pulse width of crystallization process can be decreased.
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/ / A comprehensive model of submicron chalcogenide switching devices
/ / OUM - A 180 nm Non-volatile Memory Cell Element Technology For Stand Alone and Embedded Applications
/ 1979. / Electrical characteristics of the thin film interface of amorphous chalcogenide semiconductor J. of KIEE. Vol. 29 : 111 ~
/ 1980. / Transition characteristics of ON-off state of amorphous chalcogenide semicon- ductor J. of KIT. 9 : 59 ~
/ 1990. / S. R. Elliott Physics of Amorphous Materials : 30 ~
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