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저자정보
Seung Wook Ryu (Stanford University) Young Bae Ahn (Seoul National University) Jong Ho Lee (Seoul National University) Hyeong Joon Kim (Seoul National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.11 No.3
발행연도
2011.9
수록면
146 - 152 (7page)

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Thermal stability of Ge<SUB>2</SUB>Sb<SUB>2</SUB>Te<SUB>5</SUB> (GST) and SiO<SUB>2</SUB> doped GST (SGST) films for phase change random access memory applications was investigated by observing the change of surface roughness, layer density and composition of both films after isothermal annealing. After both GST and SGST films were annealed at 325°C for 20 min, root mean square (RMS) surface roughness of GST was increased from 1.9 to 35.9 nm but that of SGST was almost unchanged. Layer density of GST also steeply decreased from 72.48 to 68.98 g/cm<SUP>2</SUP> and composition was largely varied from Ge : Sb : Te = 22.3 : 22.1 : 55.6 to 24.2 : 22.7 : 53.1, while those of SGST were almost unchanged. It was confirmed that the addition of a small amount of SiO<SUB>2</SUB> into GST film restricted the deterioration of physical and chemical properties of GST film, resulting in the better thermal stability after isothermal annealing.
#Thermal stability #Ge< #SUB> #2< #/SUB> #Sb< #SUB> #2< #/SUB> # Te< #SUB> #5< #/SUB> #SiO< #SUB> #2< #/SUB> #SiO< #SUB> #2< #/SUB> # doped Ge< #SUB> #2< #/SUB> #Sb< #SUB> #2< #/SUB> #Te< #SUB> #5< #/SUB> #decoposition #reliability #phase change #PcRAM #next generation non-volatile memory (NG-NVM)

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL PROCEDURE
III. EXPERIMENTAL RESULTS
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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