지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 585 - 593 (9page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
In this work, we report several experimental data capable of evaluating the phase transformation characteristics of GeSbTe pseudobinary thin films comprehensively utilized as phase change materials. The phase transformation of the GeSbTe thin films was confirmed by XRD measurement from amorphous to hexagonal structure via fcc structure except for Ge8Sb₂Te11. In addition, X-ray photoelectron spectra analysis revealed to weaken Ge-Te bond for Ge₂Sb₂Te5 and to strengthen the bonds of all elements for Ge8Sb₂Te11 during the amorphous to crystalline transition. The values of optical energy gap (EOP) were around 0.71 and 0.50 eV and the slopes of absorption in extended region (B) were ～5.1×105 and ～10×105 cm-1V-1 for the amorphous and fcc-crystalline structures, respectively. Finally, the kinetics of amorphous-to-crystalline phase change on the GeSbTe films was characterized using a nano-pulse scanner with 658-nm laser diode (power; 1～17 mW, pulse duration; 10～460 ns).
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (4)
참고문헌 신청
J. Maimon / 1985 / Chalcogenide based Non-volatile Memory Technology / 2001 IEEE : 2289 ~
N. Yamada / 1991 / Rapid-phase transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudobinary amorphous thin films for an optical disk memory / J. Appl. Phys 69 : 2849 ~
R. Nealson / 1970 / Nonvolatile and reproprammable, the read- mostly memory is here / Electronics : 56 ~
신웅철 / 2003 / 상변화 메모리의 연구동향 / 전기전자재료 16 (12) : 10 ~
N. Yamada / 1991 / Rapid-phase transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudobinary amorphous thin films for an optical disk memory / J. Appl. Phys 69 : 2849 ~
R. Nealson / 1970 / Nonvolatile and reproprammable, the read- mostly memory is here / Electronics : 56 ~
신웅철 / 2003 / 상변화 메모리의 연구동향 / 전기전자재료 16 (12) : 10 ~
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Ag-첨가 Ge₂Sb₂Te5 박막의 물성 및 고속 결정화
전기전자재료학회논문지
2008 .01
-
상변화 메모리 응용을 위한 MOCVD 방법을 통한 Ge-Sb-Te 계 박막의 증착 및 구조적인 특성분석
전기전자재료학회논문지
2008 .01
-
PRAM용 Cu-도핑된 Ge8Sb2Te11 박막의 특성
전기전자재료학회논문지
2019 .01
-
PRAM을 위한 Si-doped Ge2Sb2Te5 박막의 상변화 특성 연구
전기전자재료학회논문지
2010 .01
-
비정질 Ge1Se1Te2 과 Ge2Sb2Te5 칼코게나이드 박막의상변화특성
전기전자재료학회논문지
2006 .01
-
상분율에 따른 $Ge_2Sb_2Te_5$의 전기적 특성 변화 시뮬레이션
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
-
Sb-doping에 의한 Ge-Se-Te의 개선된 스위칭 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2009 .07
-
Sb 광도핑에 의한 Ge1Se1Te2 박막의 상변화 메모리 특성
전기전자재료학회논문지
2012 .01
-
상변화 메모리 응용을 위한 Sb을 첨가한 Ge₁Se₁Te₂ 박막의 열처리 후 상변화 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2007 .11
-
PRAM을 위한 Ge-Se-Te 박막의 상변환 특성
전기전자재료학회논문지
2011 .01
-
Electrical Switching Characteristics of Ge1Se1Te2 Chalcogenide Thin Film for Phase Change Memory
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2006 .01
-
칼코게나이드 다층박막의 상변화 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .07
-
Bi$_{2}Te_{3}$와 $Sb_{2}Te_{3}$ 박막제조와 물성연구
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
-
The Study of Phase-Change With Temperature and Electric field in Chalcogenide Thin Film
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2003 .01
-
p형 $Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3$ 가압소결체의 열전특성
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
As-Ge-Te계 박막의 스위칭 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1994 .11
-
비정질 As-Ge-Te 박막의 물리적 성질 및 스위칭 특성
전기학회논문지
1995 .07
-
상변화 메모리 응용을 위한 Ge₁Se₁Te₂ 비정질 칼코게나이드 박막의 전도 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .10
-
자기정렬구조를 갖는 칼코겐화물 상변화 메모리 소자의 전기적 특성 및 온도 분포
전기전자재료학회논문지
2019 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0