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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 121 - 124 (4page)
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x선 회절 (XRD), 원자힘 현미경 (AFM), 홀 측정, 갈륨 도핑된 산화아연(GZO)과 탄화규소(SiC)의 장벽 높이, 그리고 오제 전자 분광법 (AES) 을 이용하여 퇴적온도(250~550℃)와 열처리(600℃)에 따른 탄화규소(SiC)에 퇴적된 갈륨이 도핑된 산화아연(GZO) 박막의 구조적 전기적 특성을 연구하였다. XRD 2 Ɵ 측정 결과 GZO 박막은 SiC에 c-축 성장이 되었고 400℃에서 퇴적된 GZO 박막의 peak이 가장 높게 측정되었다. 400℃에서 퇴적된 GZO 박막의 비저항(~1.9×10-4 Ωcm)이 가장 낮게 측정되었고, 이동도는 가장 높았다. 퇴적온도가 높아질수록 GZO와 SiC의 장벽전위는 증가하였다. 모든 샘플에 대하여 열처리 후의 박막의 비저항은 증가하였고, 이동도는 감소하였다. 또한 GZO와 SiC의 장벽전위가 증가하였다. Auger 측정 결과, 400℃에서 증착된 GZO 박막의 갈륨의 함유량이 가장 높았고, 산소의 함유량이 가장 적었다. 또한 증착온도가 증가할수록, 그리고 열처리 후, 박막 내의 산소 함유량이 증가하였고 GZO와 SiC 계면의 semi-insulating 층의 두께가 증가함을 확인하였다. GZO 박막의 c-축 성장과 GZO 박막내의 산소와 갈륨의 양은 GZO 박막의 전기적 특성에 영향을 미친 것으로 보여진다.
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