InGaN/GaN Single Quantum Well의 광학적 특성 및 전기적 특성의 변화에 미치는 ion beam 조사의 영향

최승규 ,  장재민 ,  정우광

한국재료학회 학술발표대회

2007 .01

InGaN/GaN LED의 활성층 내 last barrier의 Al 조성 변화에 따른 양자효율 연구

박태훈 ,  정호영 ,  김수진 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2014 .06

Optical Properties of an Exciton in Quantum Well Structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1998 .06

Relative Absorption Edges of GaN/InGaN/GaN Single Quantum Wells and InGaN/GaN Heterostructures by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

김제원 ,  손창식 ,  장영근 외 3명

한국재료학회지

1999 .01

Optical Properties of an Exciton in Quantum Well Structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and Information Science

1998 .06

유기금속화학기상증착법을 이용한 자기조립 InGaN/GaN 양자점 구조의 성장 거동 및 특성에 관한 연구

장재민 ,  최승규 ,  정우광

한국재료학회 학술발표대회

2007 .01

Gan , InGaN / GaN 에피층의 광펌핑에 의한 자극방출 특성 ( Stimulated Emission from Optically Pumped GaN , InGaN / GaN Epilayers )

나선용 ,  이형규 ,  이장우

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

GaN, InGaN/GaN 에피층의 광펌핑에 의한 자극방출 특성

나선용 ,  이형규 ,  이장우

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

UV-근접장 나노광학현미경을 이용한 InGaN/GaN 양자구조의 광특성 분석

정문석 ,  변지수 ,  고도경 외 4명

한국통신학회 기타 간행물

2004 .11

초격자 Buffer를 사용한 InGaN/GaN 양자우물에서 Piezoelectric 효과의 측정과 Strain 감소에 대한 연구

공경식 ,  안주인 ,  이석주

전기전자재료학회논문지

2008 .01

유기금속화학기상증착법을 이용한 청색 발광 InGaN/GaN MQWs의 성장에 관한 연구

金東俊 ,  文用泰 ,  宋根萬 외 1명

전자공학회논문지-SD

2000 .12

Growth and Characterization of InGaN/GaN MQWs on Two Different Types of Substrate

Taek Sung Kim ,  Jae Young Pa ,  k 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2006 .06

Nanopatterned Surface Effect on the Epitaxial growth of InGaN/GaN Multi-quantum Well Light Emitting Diode Structure

김근주

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2009 .01

Formation Processes of Exciton in AlGaAs / GaAs Quantum Well Structure

J. B. Zhu ,  H. J. Jeon ,  E. K. Suh 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Optical characteristics of GaN-based quantum structures

조용훈

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

유기금속기상증착법에 의한 InGaN/GaN 양자점 구조의 성장거동

정우광 ,  장재민 ,  최승규 외 1명

한국재료학회지

2008 .01

Time-Resolved Photoluminescence Measurement of Frenkel-type Excitonic Lifetimes in InGaN/GaN Multi-Guantum Well Structures

SungWonHwang ,  KeunJooKim ,  GwiSuShin

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2003 .01

기저 적층 결함이 무분극 a-plane GaN 및 InGaN/GaN 다중 양자우물 구조의 광학적 특성에 미치는 영향

김지훈 ,  박정호 ,  황성민 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2012 .06

InGaN계 다중양자우물구조를 병렬 집적화한 백색광소자의 특성 연구

김근주 ,  이기형

반도체및디스플레이장비학회지

2004 .01

Improvement of internal quantum efficiency in In GaN LED for SSL application

남옥현

한국재료학회 학술발표대회

2008 .01