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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제1호
발행연도
2008.1
수록면
12 - 15 (4page)

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Hafnium oxynitride films have been deposited onto a silicon substrate by means of radio frequency (RF) reactive sputtering using a hafnium dioxide (HfO₂) target with a variety of nitrogen/ argon (N₂/Ar) gas flow ratios. Auger electron spectroscopy (AES) results confirm that N₂ was successfully incorporated into the HfON films. An increase in the N₂/Ar gas flow ratio resulted in metal oxynitride formation. The films prepared with a N₂/Ar flow ratio of 20/20 sccm show (222), (530), and (611) directions of HfO₂N₂, and the (-111), (311) directions of HfO₂. From X-ray reflectometry measurements, it can be concluded that with N₂ incorporated into the HfON films, the film density increases. The density increases from 9.8 to 10.1 g/cm³. XRR also reveals that the surface roughness is related to the N₂/Ar flow ratio.
#Hafnium oxynitride #Nitrogen #Reactive sputtering #XRD #XRR

목차

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참고문헌 (7)

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J. Kim / 2005 / Electrical and reliability characteristics of HfO₂ gate dielectric treated in N₂ and NH₃ plasma atmosphere / Appl. Surf. Sci 242 : 313 ~ google schola K.Y. Tong / 2006 / Nitridation of hafnium oxide by reactive sputtering / Microelectron. Eng 83 : 293 ~ google schola M. Lee / 2003 / Interfacial growth in HfOxNy gate dielectrics deposited using [(C2H5)2N]4Hf with O2 and NO / Appl. Phys. Lett 83 : 2638 ~ google schola M. Liu / 2006 / Characterization of HfOxNy gate dielectrics using a hafnium oxide as target / Appl. Surf. Sci 252 : 8673 ~ google schola M. Modreanu / 2005 / Solid phase crystallisation of HfO₂ thin films / Mat. Sci. Eng. B 118 : 127 ~ google schola

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