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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제1호
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 6 - 11 (6page)
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In this study, we investigated effects of hydrogen annealing (HA) and plasma nitridation (PN) applied in order to improve Si/SiO₂ interface characteristics of TiN metal gate. In result, HA and PN showed a positive effect decreasing number of interface state (Nit) respectively. After FN stress for verifying reliability, however, we identified rapid increase of Nit for TiN gate with HA, which is attributed to hydrogen related to a change of Si/SiO₂ interface characteristic. In contrast to HA, PN showed an improved Nit and gate oxide leakage characteristic due to several possible effects, such as blocking of Chlorine (Cl) diffusion and prevention of thermal reaction between TiN and SiO₂.
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A. Bravaix / 1995 / Improved hot-carrier immunity of p-MOSFET's with 8nm thick nitrided gate-oxide during bi-directional stressing / Microelectronic Engineering 28 : 273 ~
B. Maiti / 1998 / PVD TiN metal gate MOSFETs on bulk silicon and fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) substrates for deep sub-quarter micron CMOS technology / Electron Devic
D.C. Mayer / 1989 / Modes of operation and radiation sensitivity of ultra thin SOI transistors / SOS/SOI Technology Conference : 52 ~
D.G. Park / 2005 / Effects of fluorine and chlorine on the gate oxide integrity of W/TiN/SiO₂/Si metal-oxide-semiconductor structure / Thin Solid Films 483 : 232 ~
D.H. LEE / 1995 / Characteristics of CMOSFETs with sputter-deposited W/TiN stack gate / VLSI Technology, 1995. Digest of Technical Papers. 1995 Symposium on : 119 ~
B. Maiti / 1998 / PVD TiN metal gate MOSFETs on bulk silicon and fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) substrates for deep sub-quarter micron CMOS technology / Electron Devic
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D.G. Park / 2005 / Effects of fluorine and chlorine on the gate oxide integrity of W/TiN/SiO₂/Si metal-oxide-semiconductor structure / Thin Solid Films 483 : 232 ~
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