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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 365 - 370 (6page)
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고농도 Si 웨이퍼를 게이트전극으로 사용하여 zinc tin oxide transparent thin film transistor (ZTO TTFT)를 제작하였다. Si 웨이퍼를 산화시켜 SiO2를 기른 후 그 위에 ～30 nm의 Al2O3를 atomic layer deposition으로 성장시켜 게이트절연층으로 사용하였다. Al2O3 증착 후 400℃, 600℃, 800℃ 및 1,000℃에서 급속 열처리하였다. 열처리한 Al2O3/SiO2/Si 웨이퍼 위에 ZTO를 증착하여 TTFT의 활성층으로 사용하였다. 게이트절연층 열처리에 따른 이동도, 문턱전압의 변화를 조사하였다. Al2O3의 성분비 변화를 측정하기 위하여 x-ray photoelectron spectroscopy를 측정하였고, 그 결과를 바탕으로 열처리온도와 ZTO TTFT의 특성과의 연관성을 검토하였다.
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참고문헌 (11)
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A. Wang / 2006 / / IEEE Trans. Electron Devices 53 : 9 ~
B. G. Streetman / 1995 / Solid State Electronic Devices / Prentice-Hall international, Inc : 312 ~
D. K. Schroder / 1990 / Semiconductor Material and Device Characterization / A Wiley-Interscience Publication : 226 ~
H. Q. Chiang / 2005 / / Appl. Phys. Lett. 86 : 013503 ~
K. Nomura / 2003 / / Science 300 : 1269 ~
B. G. Streetman / 1995 / Solid State Electronic Devices / Prentice-Hall international, Inc : 312 ~
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H. Q. Chiang / 2005 / / Appl. Phys. Lett. 86 : 013503 ~
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