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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 618 - 622 (5page)
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본 연구에서는 SiC Schottky diode의 온도 의존 특성을 분석하였다. 소자의 온도에 따른 전류-전압 특성을 300~500 K의 범위에서 중성자 조사 전과 후로 나누어 측정을 진행하였다. 500 K에서 중성자 조사 후 소자의 유효 전위 장벽은 300 K에 비하여 0.15 eV 증가하였다. 또한, 중성자 조사 후 소자의 유효 전위 장벽은 조사 전에 비하여 0.07 eV 증가함을 알 수 있다. 조사 후의 유효 전위 장벽은 0.89 eV에서 1.05 eV로 증가하였다. 500 K에서 조사 후 Schottky diode의 ideality factor는 300 K에서의 결과보다 0.428 감소하였고, 조사 후의 ideality factor는 조사 전과 비교하여 0.354 감소한 결과를 얻었다. 또한, 문턱전압은 0.53 V에서 0.68 V로 약간 positive shift 되었다. 온도의 함수로서 SiC Schottky diode의 유효전위장벽과 ideality factor를 분석하여 고온 및 고에너지 등의 극한 환경에서 안정적으로 동작하며 응용 가능할 것으로 판단된다.
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