(InTe)x(GeTe) 박막의 비정질-결정질 상변화

송기호; 백승철; 이현용

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자료유형: 학술저널

저자정보: 송기호 백승철 이현용

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제3호

발행연도: 2010.1

수록면: 199 - 205 (7page)

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The crystallization speed (v) of amorphous (InTe)x(GeTe) (x = 0.1, 0.3 and 0.5) films and their thermal, optical and electrical behaviors have been investigated using nano-pulse scanner (wavelength = 658 nm, laser beam diameter < 2 ㎛), X-ray diffraction (XRD), 4-point probe and UV-vis-IR spectrophotometer. These results were compared with those of Ge2Sb2Te5 (GST) film, comprehensively utilized for phase-change random access memory (PRAM). Both v-value and thermal stability of (InTe)0.1(GeTe) and (InTe)0.3(GeTe) films could be enhanced in comparison with those of the GST. Contrarily, the v-value in the (InTe)0.5(GeTe) film was so drastically deteriorated that we could not quantitatively evaluate it. This deterioration is thought because amorphous (InTe)0.5(GeTe) film has relatively high reflectance, resulting in too low absorption to cause the crystallization. Conclusively, it could be thought that a proper compositional (InTe)x(GeTe) films (e.g., x < 0.3) may be good candidates with both high crystallization speed and thermal stability for PRAM application.

#GeSbTe #InGeTe #PRAM #Nano-pulse scanner #Crystallization speed

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F. Rao / 2009 / Sn12Sb88 material for phase change memory / Appl. Phys. Letter. 95 : 032105 ~

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H. Tanaka / 2002 / Electrical switching phenomena in a phase change material in contact with metallic nanowires / Jpn. J. Appl. Phys. 41 : L1443 ~

J. M. Lee / 2006 / Electrical switching studies of amorphous Ge1Se1Te2 thin film for a high-performance nonvolatile phase-change memory / Jpn. J. Appl. Phys. 45 : 5467 ~

K. Nakayama / 2000 / Submicron nonvolatile memory cell based on reversible phase transition in chalcogenide glasses / Jpn. J. Appl. Phys. 39 : 6157 ~

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