PRAM 용 GST계 상변화 박막의 조성에 따른 특성

장낙원

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자료유형: 학술저널

저자정보: 장낙원

저널정보: 한국마린엔지니어링학회 Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET) 한국마린엔지니어링학회지 제29권 제6호

발행연도: 2005.9

수록면: 707 - 712 (6page)

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PRAM (Phase change random access memory) is one of the most promising candidates for next generation Non-volatile Memories. The phase change materials have been researched in the field of optical data storage media. Among the phase change materials, Ge₂Sb₂Te_5 is very well known for its high optical contrast in the state of amorphous and crystalline. However, the characteristics required in solid state memory are quite different from optical ones. In this study, the structural properties of GeSbTe thin films with composition were investigated for PRAM. The 100-㎚ thick Ge₂Sb₂Te_5 and Sb₂Te₃ films were deposited on SiO₂/Si substrates by RF sputtering system. In order to characterize the crystal structure and morphology of these films, x-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), differential scanning calorimetry (DSC) and 4-point measurement analysis were performed. XRD and DSC analysis result of GST thin films indicated that the crystallization of Ge₂Sb₂Te_5 films start at about 180 ℃ and Sb₂Te₃ films start at about 125 ℃.

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[학술지(정기간행물)] - / 1968 / Reversible Electrical Switching Phenomena in Disordered Structures 21 : 1450 ~

[학술지(정기간행물)] - / 2001. / OUM - A 180 nm nonvolatile memory cell element technology for stand alone and embedded applications : 803 ~

[학술지(정기간행물)] - / m.takao / Recent Advances in Erasable Phase-Change Optical Disks pp.188 : 1988 ~

[학술지(정기간행물)] - / 1991. / Rapid-Phase Transitions of GeTe-Sb2Te3 Pseudobinary Amorphous Thin Films for an Optical Disk Memory 69 : 2849 ~

[학술지(정기간행물)] - / 2003. / An Edge Contact Type Cell for Phase Change RAM Featuring Very Low Power Consumption : 175 ~

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장낙원

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주요연구분야 공학 > 기계공학 > 기계공학 일반 공학 > 전기전자공학

논문수 25 이용수 3,491

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