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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제7호
발행연도
2007.1
수록면
594 - 599 (6page)

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CuInS2 thin films were synthesized by sulfurization of Cu/In Stacked elemental layer deposited onto glass Substrates by vacuum furnace annealing at temperature 200 ℃. And structural and electrical properties were measured in order to certify optimum conditions for growth of the ternary compound semiconductor CuInS2 thin films with non-stoichiometry composition. CuInS2 thin film was well made at the annealed 200 ℃ of SLG/Cu/In/S stacked elemental layer which was prepared by thermal evaporator, and chemical composition of the thin film was analyzed nearly as the proportion of 1 : 1 : 2. Physical properties of the thin film were investigated at various fabrication conditions substrate temperature, annealing and temperature, annealing time by XRD, FE-SEM and Hall measurement system. The compositional deviations from the ideal chemical formula for CuInS2 material can be conveniently described by non-molecularity(△x=[Cu/In]-1) and non-stoichiometry (△y= [{2S/(Cu+3In)}- 1]). The variation of △x would lead to the formation of equal number of doner and accepters and the films would behave like a compensated material. The △y parameter is related to the electronic defects and would determine the type of the majority charge carriers. Films with △y＞0 would behave as p-type material while △y＜0 would show n-type conductivity. At the same time, carrier concentration, hall mobility and resistivity of the thin films was 9.10568×1017 cm-3, 312.502 cm2/Vs and 2.36×10-2 Ωcm, respectively.
#CuInS2 #non-Stoichiometry #Ternary compound

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참고문헌 (14)

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